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MiniLab-125 PVD 薄膜沉積系統

應用領域:

電子束蒸發可以蒸發高熔點材料,比一般電阻加熱蒸發熱效率高、束流密度大、蒸發速度快,制成的薄膜純度高、質量好,厚 度可以較準確地控制,可以廣泛應用于制備高純薄膜和導電玻璃等各種光學材料薄膜。

MiniLab 125  PVD 薄膜沉積系統(電子束1).jpg

基本配置:

真空腔室:500mm×650mm 不銹鋼 D 形腔體。前門鉸鏈方便真空室清理;腔室底板,頂部和側面裝有腔室內硬件接口; 前門上配直徑 80 玻璃觀察窗(含手動防污染擋板、可拆洗防污玻璃);腔體水冷。 

抽氣系統:采用復合分子泵 + 直聯旋片泵作為真空抽氣系統; 主抽泵:分子泵抽速≥ 1200L/S,氮氣壓縮比≥ 109 前級泵:VRD-30 雙極旋片泵及電磁閥,抽速:8L/S 主抽閥:CCQ-200 超高真空氣動插板閥 

* 真空系統可以升級為進口分子泵和渦旋干泵。 

真空測量: 數顯復合真空計:兩低一高全量程數顯復合真空計; 

* 真空測量可以升級為進口全量程冷陰極真空計 

極限真空:<5×10-5Pa 恢復真空:<6.7×10-4Pa(< 45 min) 

電子束蒸發源:電子槍采用磁流體密封,安裝在腔室底部靠中心位置。 高壓電壓:DC-3KV -10KV(可設) 最大電流:0-1000mA(此時的加速電壓是 -10kV 最大加速功率:10KW;電子束偏轉角:270°(永磁鐵) 

坩堝:配直徑 160mm 6 穴直冷坩堝一套,電動轉位和點動轉位,定位精準。單穴容量≥ 20cc 

薄膜鍍層控制儀: Inficon SQC-310 在線測量膜厚,可以實時測量蒸發的速度和厚度,帶有 PID 控制功能, 可通過膜厚儀自動控制蒸鍍速率。 

樣品臺:可容納樣品最大尺寸,6 英寸樣品托一個 , 配擋板,轉速 0-30rpm 連續可調 ; 采用基片臺背板直接水冷形式;基片采用無氧銅,水冷不控溫。 

控制單元:15 英寸觸摸屏 +PLC 控制

選擇配置:

樣品可加熱控溫,( 可選帶掩膜庫系統樣品臺 ) 溫度范圍:室溫 -600,控溫精度 ±0.5 

電子槍可選用進口知名品牌 

離子束輔助沉積源 

全量程真空計 (Inficon)

系統要求標準配置:

工藝氣體 :25psi,純度 99.99% 以上 

工作氣體 : 干燥壓縮空氣、氮氣 

: 三相 380V, 50Hz, 63A 

  :18-25 , 6L/min,壓力 <0.4MPa


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